Aproksimacioni model kvantnih efekata u HEMT strukturama
Approximate model of quantum effects in HEMT structures
Abstract
U radu je prikazan aproksimacioni model kvantnih efekata u HEMT (High Electron Mobility Transistor) strukturama. Postuliran je oblik kvantne jame u obliku nesimetričnog trougla, a parametri su određeni korišćenjem samousaglašenog postupka. Predložen je izraz za intenzitet vektora jačine električnog polja u kvantnoj jami, sa novim koeficijentom korekcije u odnosu na do sada korišćene. Novi koeficijent preciznije ističe izraženo asimetrično prostiranje električnog polja u okolini heterospoja. Zato je i predloženi model tačniji od do sada postojećih. Korišćenjem ovakvog rešenja određene su svojstvene energije, svojstvene talasne funkcije i Fermijeva energija. Rezultati dobijeni na osnovu predloženog modela dobro se slažu sa do sada poznatim teorijskim i eksperimentalno određenim rezultatima. Pri tome predloženi model je veoma jednostavan i robustan - primenljiv na različite standardne i savremene HEMT naprave.
In this paper an approximative model of quantum effects in High Electron Mobility Transistor (HEMT) structures is presented. The shape of potential-well is postulated in the asymmetrical triangle form, and the parameters are determined by using self-consistent procedure. The expression for intensity of the electric field in the potential-well is proposed with a new correction coefficient. The new coefficient emphasis more precisely extremely asymmetric spreading of the electric field in vicinity of heterojunction. As a consequence, the developed model appeared to be more accurate then the other existing ones. By use of the previous solutions, the quantization energies, quantization wave-functions and Fermi energies are determined. The results obtained by using the proposed model are in good agreement with already known theoretically and experimentally obtained results. The model is very simple and robust - being applicable to various modern and standard HEMT devices.
Keywords:
modelovanje poluprovodničkih komponenti / heterostrukture / HEMT / semiconductor devices modeling / High Electron Mobility Transistor (HEMT) / heterostructuresSource:
Bilten Instituta za nuklearne nauke Vinča, 2003, 8, 1-4, 70-76Publisher:
- Univerzitet u Beogradu - Institut za nuklearne nauke Vinča, Beograd
Collections
Institution/Community
Mašinski fakultetTY - JOUR AU - Lukić, Petar PY - 2003 UR - https://machinery.mas.bg.ac.rs/handle/123456789/368 AB - U radu je prikazan aproksimacioni model kvantnih efekata u HEMT (High Electron Mobility Transistor) strukturama. Postuliran je oblik kvantne jame u obliku nesimetričnog trougla, a parametri su određeni korišćenjem samousaglašenog postupka. Predložen je izraz za intenzitet vektora jačine električnog polja u kvantnoj jami, sa novim koeficijentom korekcije u odnosu na do sada korišćene. Novi koeficijent preciznije ističe izraženo asimetrično prostiranje električnog polja u okolini heterospoja. Zato je i predloženi model tačniji od do sada postojećih. Korišćenjem ovakvog rešenja određene su svojstvene energije, svojstvene talasne funkcije i Fermijeva energija. Rezultati dobijeni na osnovu predloženog modela dobro se slažu sa do sada poznatim teorijskim i eksperimentalno određenim rezultatima. Pri tome predloženi model je veoma jednostavan i robustan - primenljiv na različite standardne i savremene HEMT naprave. AB - In this paper an approximative model of quantum effects in High Electron Mobility Transistor (HEMT) structures is presented. The shape of potential-well is postulated in the asymmetrical triangle form, and the parameters are determined by using self-consistent procedure. The expression for intensity of the electric field in the potential-well is proposed with a new correction coefficient. The new coefficient emphasis more precisely extremely asymmetric spreading of the electric field in vicinity of heterojunction. As a consequence, the developed model appeared to be more accurate then the other existing ones. By use of the previous solutions, the quantization energies, quantization wave-functions and Fermi energies are determined. The results obtained by using the proposed model are in good agreement with already known theoretically and experimentally obtained results. The model is very simple and robust - being applicable to various modern and standard HEMT devices. PB - Univerzitet u Beogradu - Institut za nuklearne nauke Vinča, Beograd T2 - Bilten Instituta za nuklearne nauke Vinča T1 - Aproksimacioni model kvantnih efekata u HEMT strukturama T1 - Approximate model of quantum effects in HEMT structures EP - 76 IS - 1-4 SP - 70 VL - 8 UR - https://hdl.handle.net/21.15107/rcub_machinery_368 ER -
@article{ author = "Lukić, Petar", year = "2003", abstract = "U radu je prikazan aproksimacioni model kvantnih efekata u HEMT (High Electron Mobility Transistor) strukturama. Postuliran je oblik kvantne jame u obliku nesimetričnog trougla, a parametri su određeni korišćenjem samousaglašenog postupka. Predložen je izraz za intenzitet vektora jačine električnog polja u kvantnoj jami, sa novim koeficijentom korekcije u odnosu na do sada korišćene. Novi koeficijent preciznije ističe izraženo asimetrično prostiranje električnog polja u okolini heterospoja. Zato je i predloženi model tačniji od do sada postojećih. Korišćenjem ovakvog rešenja određene su svojstvene energije, svojstvene talasne funkcije i Fermijeva energija. Rezultati dobijeni na osnovu predloženog modela dobro se slažu sa do sada poznatim teorijskim i eksperimentalno određenim rezultatima. Pri tome predloženi model je veoma jednostavan i robustan - primenljiv na različite standardne i savremene HEMT naprave., In this paper an approximative model of quantum effects in High Electron Mobility Transistor (HEMT) structures is presented. The shape of potential-well is postulated in the asymmetrical triangle form, and the parameters are determined by using self-consistent procedure. The expression for intensity of the electric field in the potential-well is proposed with a new correction coefficient. The new coefficient emphasis more precisely extremely asymmetric spreading of the electric field in vicinity of heterojunction. As a consequence, the developed model appeared to be more accurate then the other existing ones. By use of the previous solutions, the quantization energies, quantization wave-functions and Fermi energies are determined. The results obtained by using the proposed model are in good agreement with already known theoretically and experimentally obtained results. The model is very simple and robust - being applicable to various modern and standard HEMT devices.", publisher = "Univerzitet u Beogradu - Institut za nuklearne nauke Vinča, Beograd", journal = "Bilten Instituta za nuklearne nauke Vinča", title = "Aproksimacioni model kvantnih efekata u HEMT strukturama, Approximate model of quantum effects in HEMT structures", pages = "76-70", number = "1-4", volume = "8", url = "https://hdl.handle.net/21.15107/rcub_machinery_368" }
Lukić, P.. (2003). Aproksimacioni model kvantnih efekata u HEMT strukturama. in Bilten Instituta za nuklearne nauke Vinča Univerzitet u Beogradu - Institut za nuklearne nauke Vinča, Beograd., 8(1-4), 70-76. https://hdl.handle.net/21.15107/rcub_machinery_368
Lukić P. Aproksimacioni model kvantnih efekata u HEMT strukturama. in Bilten Instituta za nuklearne nauke Vinča. 2003;8(1-4):70-76. https://hdl.handle.net/21.15107/rcub_machinery_368 .
Lukić, Petar, "Aproksimacioni model kvantnih efekata u HEMT strukturama" in Bilten Instituta za nuklearne nauke Vinča, 8, no. 1-4 (2003):70-76, https://hdl.handle.net/21.15107/rcub_machinery_368 .